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标题: 复旦大学团队公布重大突破，研发皮秒级闪存欲颠覆存储架构 [打印本页]

作者: 社会事 时间: 3 天前
标题: 复旦大学团队公布重大突破，研发皮秒级闪存欲颠覆存储架构
咱们复旦大学的科研团队最近搞了个大新闻，集成芯片与系统全国重点实验室的周鹏和刘春森团队，在理论上捣鼓出了一个叫“准二维泊松模型”的东西，还预测了一种“超注入”现象。基于这个理论，他们成功研发出了一款名为“破晓（PoX）”的皮秒闪存器件，这玩意儿可不一般。

简单说，这款闪存的擦写速度快得惊人，达到了亚1纳秒级别，具体数字是400皮秒。这是什么概念？一秒钟能操作25亿次！这速度直接刷新了纪录，成了目前全球最快的半导体电荷存储技术。要知道，在现在这个人工智能热火朝天的时代，数据存得快、取得快太重要了。一直以来，信息存储的速度都是集成电路领域的老大难问题，也是限制人工智能算力提升的一个关键瓶颈。咱们现在的存储器就像个金字塔，塔尖是内存（像SRAM、DRAM），速度飞快，纳秒级响应，但容量小、耗电大，关机数据就没了。塔底是外存（比如闪存），容量大、数据丢不了，可速度慢，百微秒级的存取速度跟内存比起来差远了，满足不了AI计算那种“嗷嗷待哺”的需求。周鹏和刘春森团队的目标就是想找一种“完美”的存储器，打破现有存储器的界限。他们琢磨闪存的基本单元——浮栅晶体管（就是靠源极、漏极和栅极控制电子流动来存信息），然后提出了一个全新的提速思路：利用二维材料的特殊能带结构和弹道输运特性，搞出一种“超注入”机制，让电子不需要“助跑”就能直接达到高速，大大提升存储速度。基于这个新思路和他们建立的理论模型，研发出来的“破晓”闪存，不仅速度突破了亚1纳秒，甚至比同技术节点下最快的易失性存储技术SRAM还要快。这项技术的意义非同小可，它有可能彻底颠覆咱们现在电脑里内存、外存分开的架构。设想一下，未来的个人电脑可能不再区分内存和外存，甚至能在本地电脑上直接运行大型AI模型，这在以前是想都不敢想的。这项存储技术的突破，无疑将对人工智能、云计算、通信工程等多个前沿领域产生巨大的推动作用，有望成为我们在这些领域实现技术领先的重要基石。当然，从实验室走向市场还需要时间，团队给出的时间表是计划在3到5年内将其集成到几十兆的存储芯片水平，并授权给企业进行产业化生产。这项引人瞩目的研究工作得到了国家科技部重点研发计划、国家自然科学基金以及上海市相关基础研究项目的大力支持。一个可能改变未来计算方式的技术突破正在酝酿，值得我们持续关注。

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